Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Hüsnü Xəlil oğlu Əjdərov (12 fevral 1941, Kirovabad) — fizika-riyaziyyat elmləri doktoru.
| Hüsnü Əjdərov | |
|---|---|
| Doğum tarixi | 12 fevral 1941 (84 yaş) |
| Doğum yeri | |
| Milliyyəti | azərbaycanlı |
| Atası | Əjdərov Xəlil Hüseyn oglu |
| Anası | Əjdərova Şölə Paşa qızı |
| Elm sahələri | yarımkeçiricilər fizikası və texnologiyası |
| Elmi dərəcəsi | fizika - riyaziyyat elmləri doktoru |
| Elmi adı | laboratoriya rəhbəri |
| İş yeri | |
| Təhsili | |
| Elmi rəhbəri | Tahirov Vladimir İsmayil oğlu |
| Tanınmış yetirmələri | f.r.e.d. Kəzımzadə Rəna Zəki qızı, f.r.e.d. Rzayev Salman Qədimalı oğlu |
| Tanınır | Germanium-silisium və almazabənzər yarımkeçirici kristalların alınması və onların elektron xassələrinin öyrənilməsi ilə bağlı elmi işləri ilə dünyada görkəmli mütəxəssis kimi tanınır. |
| Mükafatları | AMEA-nın . . ABİ-USA Gold Medal for Azerbaijan. AMEA Fizika-riyaziyyat və texnika elmləri bölməsi-nin Fəxri Fərmanı. |
Həyatı
12 fevral 1941-ci ildə Gəncə şəhərində doğulub.
Əsas elmi nəticələri
Germanium-silisium kristallarında dərin və dayaz aşqar atomlarının əsas enerji hallarının spektri təyin edilib. Geniş temperatur intervalında Ge-Si sistemində sərbəst elektrik yük daşıyıcılarının səpilmə mexanizmləri və qanunauyğunluqları öyrənilib. Aşqar atomlarını əhatə edən nanohəcmlərin tərkibinin qeyri identivliyi ilə əlaqəli bərk məhlul kristallarında yaranan elektron xassələrinin xüsusiyyətləri aşkar edilib və araşdırılıb.
Böyük Britaniyada aparılan tədqiqatlar əsasında göstərilib ki, almazabənzər A3B5 kristallarında ultrakvant rejimdə, elektronların aşqar ionlarından səpilməsi üstünlük təşkil edəndə, matrisada böyük neqativ uzununa maqnit müqaviməti müşaidə edilir.
Yarımkeçirici bərk məhlul sistemlərinin verilmiş tərkibdə alınması, onların müxtəlif aşqar elementlərlə leqirə edilmə texnologiyaları və bu məsələlərin fiziki-riyazi əsasları geniş inkişaf etdirilib. Ərintidən bircinsli və dəyişən tərkibli yarımkeçirici bərk məhlul monokristallarının alınması və aşqarlanması üçün bir sıra innovativ üsulların kosepsiyaları və nəzəri əsasları verilib.
Əsas elmi əsərləri
- Negative magnetoresistance in Indium Arsenide in the extreme quantum limit — Phys. Stat. Sol. (B), 1978, n.87
- Deep Impurity Levels in Ge-Si Alloys — Solid State Communication, 111 (1999), pp. 675–679.
- Distribution of components in Ge-Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component — Journal of Crystal Growth, 226 (2001), pp. 437–442.
- Distribution of components in Ge-Si bulk crystals grown by the zone leveling method — Chinese Journal of Physics, 41(2003), pp.79–84.
- Segregation of Aluminum and Indium Impurities in Ge-Si Crystals — Inorganic Materials, 2007, Vol. 43, pp. 3–7.
- Growth of Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions by Double Feeding of the Melt Method. Crystallography Reports, 2010, Vol. 55, No. 4, pp. 716–719.
- The Directional Constitutional Supercooling of the Melt Method. Growth Dynamics of Compositionally Graded Ge-Si Single Crystals. Materials of 2011 Wold Congress on Engineering and Technology, Oct. 28-Nov.2, 2011, Shanghai, China, pp. 236–240.
- Hybrid Technique for Growing Homogeneous Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions from Melt- Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 442–445.
- Deep Acceptor Complex in Thermally Processed Ge–Si〈Ga, Ni〉 Crystals — Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 4, pp. 563–566.
- Modeling the distribution of Ga and Sb in Ge-Si crystals grown by double feeding of the melt- Inorganic Materials, 2016, Vol. 52, pp. 244–248.
Elmi-təşkilati fəaliyyəti
AMEA Fizika İnstitutunun laboratoriya müdiri, AMEA Fizika İnstitutunun Ümumi sektorunun rəhbəri, Bakı Dövlət Universitetinin D02.012 (bərk cisim fizikası) Dissertasiya Müdafiə şurasının üzvü, 2011–2012-ci illərə Azərbaycan Respublikası Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiyasının fizika üzrə ekspert şurasının sədri, Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının "Xəbərlər" jurnalı, Fizika- riyaziyyat və texnika elmləri seriyasının Fizika və Astronomiya buraxılışının redaksiya heyətinin üzvü, Elmlər Akademiyalarının Beynəlxalq Assosiasiyasının "Elektron texnikasının funksional materialları" Şurasının üzvü və Fizika institutunun elmi şura üzvi kimi elmi-təşkilatı fəaliyyət göstərir.
İstinadlar
Xarici keçidlər
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Husnu Xelil oglu Ejderov 12 fevral 1941 Kirovabad fizika riyaziyyat elmleri doktoru Husnu Ejderov Dogum tarixi 12 fevral 1941 1941 02 12 84 yas Dogum yeri Kirovabad Azerbaycan SSR SSRI Milliyyeti azerbaycanli Atasi Ejderov Xelil Huseyn oglu Anasi Ejderova Sole Pasa qizi Elm saheleri yarimkeciriciler fizikasi ve texnologiyasi Elmi derecesi fizika riyaziyyat elmleri doktoru Elmi adi laboratoriya rehberi Is yeri AMEA Fizika Institutu Tehsili BDU Fizika fakultesi Elmi rehberi Tahirov Vladimir Ismayil oglu Taninmis yetirmeleri f r e d Kezimzade Rena Zeki qizi f r e d Rzayev Salman Qedimali oglu Taninir Germanium silisium ve almazabenzer yarimkecirici kristallarin alinmasi ve onlarin elektron xasselerinin oyrenilmesi ile bagli elmi isleri ile dunyada gorkemli mutexessis kimi taninir Mukafatlari AMEA nin Fexri Fermani Birlesmis Veteranlar Surasinim Fexri Fermani ABI USA Gold Medal for Azerbaijan AMEA Fizika riyaziyyat ve texnika elmleri bolmesi nin Fexri Fermani Mundericat 1 Heyati 2 Esas elmi neticeleri 3 Esas elmi eserleri 4 Elmi teskilati fealiyyeti 5 Istinadlar 6 Xarici kecidlerHeyatiredakte12 fevral 1941 ci ilde Gence seherinde dogulub Esas elmi neticeleriredakteGermanium silisium kristallarinda derin ve dayaz asqar atomlarinin esas enerji hallarinin spektri teyin edilib Genis temperatur intervalinda Ge Si sisteminde serbest elektrik yuk dasiyicilarinin sepilme mexanizmleri ve qanunauygunluqlari oyrenilib Asqar atomlarini ehate eden nanohecmlerin terkibinin qeyri identivliyi ile elaqeli berk mehlul kristallarinda yaranan elektron xasselerinin xususiyyetleri askar edilib ve arasdirilib Boyuk Britaniyada aparilan tedqiqatlar esasinda gosterilib ki almazabenzer A3B5 kristallarinda ultrakvant rejimde elektronlarin asqar ionlarindan sepilmesi ustunluk teskil edende matrisada boyuk neqativ uzununa maqnit muqavimeti musaide edilir Yarimkecirici berk mehlul sistemlerinin verilmis terkibde alinmasi onlarin muxtelif asqar elementlerle leqire edilme texnologiyalari ve bu meselelerin fiziki riyazi esaslari genis inkisaf etdirilib Erintiden bircinsli ve deyisen terkibli yarimkecirici berk mehlul monokristallarinin alinmasi ve asqarlanmasi ucun bir sira innovativ usullarin kosepsiyalari ve nezeri esaslari verilib Esas elmi eserleriredakteNegative magnetoresistance in Indium Arsenide in the extreme quantum limit Phys Stat Sol B 1978 n 87 Deep Impurity Levels in Ge Si Alloys Solid State Communication 111 1999 pp 675 679 Distribution of components in Ge Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component Journal of Crystal Growth 226 2001 pp 437 442 Distribution of components in Ge Si bulk crystals grown by the zone leveling method Chinese Journal of Physics 41 2003 pp 79 84 Segregation of Aluminum and Indium Impurities in Ge Si Crystals Inorganic Materials 2007 Vol 43 pp 3 7 Growth of Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions by Double Feeding of the Melt Method Crystallography Reports 2010 Vol 55 No 4 pp 716 719 The Directional Constitutional Supercooling of the Melt Method Growth Dynamics of Compositionally Graded Ge Si Single Crystals Materials of 2011 Wold Congress on Engineering and Technology Oct 28 Nov 2 2011 Shanghai China pp 236 240 Hybrid Technique for Growing Homogeneous Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions from Melt Crystallography Reports 2014 Vol 59 No 3 pp 442 445 Deep Acceptor Complex in Thermally Processed Ge Si Ga Ni Crystals Crystallography Reports 2014 Vol 59 No 4 pp 563 566 Modeling the distribution of Ga and Sb in Ge Si crystals grown by double feeding of the melt Inorganic Materials 2016 Vol 52 pp 244 248 Elmi teskilati fealiyyetiredakteAMEA Fizika Institutunun laboratoriya mudiri AMEA Fizika Institutunun Umumi sektorunun rehberi Baki Dovlet Universitetinin D02 012 berk cisim fizikasi Dissertasiya Mudafie surasinin uzvu 2011 2012 ci illere Azerbaycan Respublikasi Prezidenti yaninda Ali Attestasiya Komissiyasinin fizika uzre ekspert surasinin sedri Azerbaycan Milli Elmler Akademiyasinin Xeberler jurnali Fizika riyaziyyat ve texnika elmleri seriyasinin Fizika ve Astronomiya buraxilisinin redaksiya heyetinin uzvu Elmler Akademiyalarinin Beynelxalq Assosiasiyasinin Elektron texnikasinin funksional materiallari Surasinin uzvu ve Fizika institutunun elmi sura uzvi kimi elmi teskilati fealiyyet gosterir IstinadlarredakteXarici kecidlerredakte 1 Menbe https az wikipedia org w index php title Husnu Ejderov amp oldid 7313335