Vilyam Bredford Şokli 13 fevral 1910-cu ildə Londonda anadan olmuşdur.
Fəaliyyəti
Tranzistorun müəlliflərindən biri, amerikalı fizik Vilyam Bredford Şokli 1956-cı ildə fizika üzrə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. 1963-cü ildən 1975-ci ilə qədər o, Stenford Universitetinin professoru vəzifəsində çalışmışdır.
Mükafatları
Con Bardin, Vilyam Bredford Şokli və Valter Brattain, 1948-ci ildə.
1946-cı ildə müharibə işləri üçün Meritin Milli Medalı.
1953-cü ildə Milli Elmlər Akademiyasının Fizika üzrə Comstock mükafatı.
1953-cü ildə Amerika Fiziki Cəmiyyətinin Oliver E. Buckley Solid State Physics Mükafatının ilk alıcısı.
1956-cı ildə fizika sahəsində Nobel mükafatı almış, John Bardeen və Walter Brattain ilə birlikdə. Nobel dərsində Brattain və Bardeenə nöqtə kontakt transistorunun ixtiraçıları olaraq tam kredit verdilər. Üçü, arvadları və qonaqları ilə birgə qeyd etmək üçün çox gecikməyən gecə şampan-yanacaqlı partiyaya sahib idi.
1963-cü ildə Amerika Mexanika Mühəndisləri Cəmiyyətinin Holley Medalı.
1963-cü ildə Wilhelm Exner Medalı.
Pensilvaniya Universitetinin fəxri elmlər doktoru, New Jersey Rutgers Universiteti və Minnesota Gustavus Adolphus Kollecləri.
1980-ci ildə Elektrik və Elektronika Mühəndisləri İnstitutunun IEEE Şərəf Medalı (IEEE).
20-ci əsrin 100 ən nüfuzlu insanlarından biri olaraq Time Magazine tərəfindən adlandırılmışdır.
MIT-in 150 illik tarixində ən yaxşı 150 yenilikçi və ideyanın Boston Globe-un 2011 MIT150 siyahısında # 3 siyahıda.
Patentləri
Vilyam Bredford Şokli doxsan ABŞ patentinə layiq görülmüşdür. Bəzi olanlar bunlardır:
US 2502488 Yarıiletkenli Amplifikatör. 4 aprel 1950; Tranzistorları əhatə edən ilk verilmiş patent.
US 2569347 Yarımkeçirici materialdan istifadə olunan dövrə elementi. 25 sentyabr 1951; Ən qabaqcadan keçən (26 iyun, 1948) transistorlara aid patent.
US 2655609 Bistable Devreler. 13 oktyabr 1953; Kompüterlərdə istifadə olunur.
US 2787564 Ionik Bomba ilə Yarımkeçirici Cihazların Yaradılması. 2 aprel 1957; Çirkləri implantasiya üçün diffuziya prosesi.
US 3031275 Tək kristalların yetişdirilməsi prosesi. 24 aprel 1962; Əsas materialların istehsalı prosesində təkmilləşmələr.
US 3053635 Silikon Karbid Kristallarının Yetişdirilməsi Yöntemi. 11 sentyabr 1962; Digər yarımkeçiriciləri araşdırmaq.
Kitabları
Shockley, William – Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
Shockley, William and Gong, Walter A – Mechanics Charles E. Merrill, Inc. (1966).
Shockley, William and Pearson, Roger – Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.
Ədəbiyyat
Əliquliyev R.M., Salmanova P.M. İnformasiya cəmiyyəti: maraqlı xronoloji faktlar. Bakı: “İnformasiya Texnologiyaları” nəşriyyatı, 2013, 169 səh.
İstinadlar
↑ William B. Shockley // Encyclopædia Britannica (ing.).
↑ William Bradford Shockley // ABŞ Milli Biblioqrafiyası (ing.). 1999.
↑ William Bradford Shockley // Brockhauz Ensiklopediyası (alm.).
vilyam, şokli, vilyam, bredford, şokli, william, bradford, shockley, fevral, 1910, london, avqust, 1989, amerikalı, fizik, tranzistorun, müəlliflərindən, biri, fizika, üzrə, nobel, mükafatı, laureatı, 1956, william, bradford, shockleydoğum, tarixi, fevral, 191. Vilyam Bredford Sokli William Bradford Shockley 13 fevral 1910 1 2 3 London 4 12 avqust 1989 1 2 3 Amerikali fizik tranzistorun muelliflerinden biri Fizika uzre Nobel mukafati laureati 1956 Vilyam Sokliing William Bradford ShockleyDogum tarixi 13 fevral 1910 1910 02 13 1 2 3 Dogum yeri London London qrafligi d Ingiltere Boyuk Britaniya ve Irlandiya Birlesmis Kralligi 4 Vefat tarixi 12 avqust 1989 1989 08 12 1 2 3 79 yasinda Vefat sebebi prostat xercengiVetendasligi Birlesmis Kralliq ABSElm sahesi yarimkeciriciler fizikasi d Elmi derecesi fizika uzre felsefe doktoru d Is yerleri Stenford UniversitetiTehsili Kaliforniya Texnologiya Institutu 1932 Massacusets Texnologiya Institutu 1936 Uzvluyu ABS Milli Elmler Akademiyasi Amerika Incesenet ve Elmler AkademiyasiMukafatlari Vikianbarda elaqeli mediafayllar Mundericat 1 Heyati 2 Fealiyyeti 3 Mukafatlari 4 Patentleri 5 Kitablari 6 Edebiyyat 7 IstinadlarHeyati RedakteVilyam Bredford Sokli 13 fevral 1910 cu ilde Londonda anadan olmusdur Fealiyyeti RedakteTranzistorun muelliflerinden biri amerikali fizik Vilyam Bredford Sokli 1956 ci ilde fizika uzre Nobel mukafatina layiq gorulmusdur 1963 cu ilden 1975 ci ile qeder o Stenford Universitetinin professoru vezifesinde calismisdir Mukafatlari Redakte Con Bardin Vilyam Bredford Sokli ve Valter Brattain 1948 ci ilde 1946 ci ilde muharibe isleri ucun Meritin Milli Medali 1953 cu ilde Milli Elmler Akademiyasinin Fizika uzre Comstock mukafati 1953 cu ilde Amerika Fiziki Cemiyyetinin Oliver E Buckley Solid State Physics Mukafatinin ilk alicisi 1956 ci ilde fizika sahesinde Nobel mukafati almis John Bardeen ve Walter Brattain ile birlikde Nobel dersinde Brattain ve Bardeene noqte kontakt transistorunun ixtiracilari olaraq tam kredit verdiler Ucu arvadlari ve qonaqlari ile birge qeyd etmek ucun cox gecikmeyen gece sampan yanacaqli partiyaya sahib idi 1963 cu ilde Amerika Mexanika Muhendisleri Cemiyyetinin Holley Medali 1963 cu ilde Wilhelm Exner Medali Pensilvaniya Universitetinin fexri elmler doktoru New Jersey Rutgers Universiteti ve Minnesota Gustavus Adolphus Kollecleri 1980 ci ilde Elektrik ve Elektronika Muhendisleri Institutunun IEEE Seref Medali IEEE 20 ci esrin 100 en nufuzlu insanlarindan biri olaraq Time Magazine terefinden adlandirilmisdir MIT in 150 illik tarixinde en yaxsi 150 yenilikci ve ideyanin Boston Globe un 2011 MIT150 siyahisinda 3 siyahida Patentleri RedakteVilyam Bredford Sokli doxsan ABS patentine layiq gorulmusdur Bezi olanlar bunlardir US 2502488 Yariiletkenli Amplifikator 4 aprel 1950 Tranzistorlari ehate eden ilk verilmis patent US 2569347 Yarimkecirici materialdan istifade olunan dovre elementi 25 sentyabr 1951 En qabaqcadan kecen 26 iyun 1948 transistorlara aid patent US 2655609 Bistable Devreler 13 oktyabr 1953 Komputerlerde istifade olunur US 2787564 Ionik Bomba ile Yarimkecirici Cihazlarin Yaradilmasi 2 aprel 1957 Cirkleri implantasiya ucun diffuziya prosesi US 3031275 Tek kristallarin yetisdirilmesi prosesi 24 aprel 1962 Esas materiallarin istehsali prosesinde tekmillesmeler US 3053635 Silikon Karbid Kristallarinin Yetisdirilmesi Yontemi 11 sentyabr 1962 Diger yarimkeciricileri arasdirmaq Kitablari RedakteShockley William Electrons and holes in semiconductors with applications to transistor electronics Krieger 1956 ISBN 0 88275 382 7 Shockley William and Gong Walter A Mechanics Charles E Merrill Inc 1966 Shockley William and Pearson Roger Shockley on Eugenics and Race The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott Townsend 1992 ISBN 1 878465 03 1 Edebiyyat RedakteEliquliyev R M Salmanova P M Informasiya cemiyyeti maraqli xronoloji faktlar Baki Informasiya Texnologiyalari nesriyyati 2013 169 seh Istinadlar Redakte 1 2 3 4 William B Shockley Encyclopaedia Britannica ing 1 2 3 4 William Bradford Shockley ABS Milli Biblioqrafiyasi ing 1999 1 2 3 4 William Bradford Shockley Brockhauz Ensiklopediyasi alm 1 2 Shokli Uilyam Bredford Bolshaya sovetskaya enciklopediya rus v 30 t pod red A M Prohorova 3 e izd Moskva Sovetskaya enciklopediya 1969 Menbe https az wikipedia org w index php title Vilyam Sokli amp oldid 6059496, wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, hersey,
ne axtarsan burda
, en yaxsi meqale sayti, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, seks, porno, indir, yukle, sex, azeri sex, azeri, seks yukle, sex yukle, izle, seks izle, porno izle, mobil seks, telefon ucun, chat, azeri chat, tanisliq, tanishliq, azeri tanishliq, sayt, medeni, medeni saytlar, chatlar, mekan, tanisliq mekani, mekanlari, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar.
