Heterostruktur – yarımkeçiricilər fizikasında termin olub, qadağan olunmuş zolağının eni müxtəlif olan yarımkeçiricilərdən ibarət, altlıq üzərində yetişdirilmiş laylı strukturları ifadə edir. İki müxtəlif yarımkeçirici arasında heterokeçid yaranır burada yükdaşıyıcıların yüksək konsentrasiyası və bunun nəticəsində cırlaşmış ikiölçülü elektron qazı yaranır. Əgər yarımkeçiricilərin hər ikisi eyni tiplidirsə, izotip heterokeçid alınır, əgər yarımkeçiricilər müxtəlif tiplidirsə, anizotip heterokeçid yaranır. Yarımkeçiricilərin keçid sərhəddində qadağan olunmuş zolağın eni, yükdaşıyıcıların yürüklüyü, effektiv kütləsi və digər xarakteristikaları dəyişilir. Kəskin heterokeçiddə xassələrin dəyişilməsi həcmi yüklər oblastının eni tərtibində, və ya ondan kiçik məsafələrdə baş verir. Müxtəlif heterokeçidlərin və monokeçidlərin kombinasiyası heterostrukturlar adlanır.
Heterokeçidin yaranması ancaq kontakta gətirilmiş maddələrin kristal qəfəslərinin tiplərinin, istiqamətlərinin və qəfəs sabitlərinin üst-üstə düşməsi, və ya az fərqlənməsi zamanı mümkündür. Digər tərəfdən ideal heterokeçiddə keçid oblastı struktur və digər defektlərdən (dislokasiyalardan, nöqtəvi defektlərdən və s.), mexaniki gərginliklərdən azad olmalıdır. Heterokeçidin yaradılması zamanı və hazırlanmış heterokeçidin keyfiyyətliliyi üçün qəfəs sabitindən (a) əlavə, maddələrin dielektrik nüfuzluğunu və elektrona hərislik enerjisini (χ), maddələrin çıxış işini (U) bilmək lazımdır. Homokeçidlərdən fərqli olaraq heterokeçidlər valent və keçirici zonanın lazımi potensial profilini yaratmaq üçün daha böyük mütəhərrikliyə malikdirlər. Heterokeçid yaratmaq üçün bir çox üsullardan istifadə olunur. Ən geniş yayılmış üsullar molekulyar şüa epitaksiyası (I üsul) və metal orqanik birləşmələrin qaz fazasından epitaksiyasıdır (II üsul). I üsul presezion (atom monolayının ölçüsü tərtibi) dəqiqliyi ilə heterokeçid yaratmağa imkan verir. II üsul belə dəqiqliyə malik olmasa da, birinci metodla müqayisədə təbəqələrin daha böyük böyümə sürətinə malikdir. Bu metodlar əsasında alınmış AIIIBV monokristalları və onların Ga-un və Al-un arsenidləri, fosfidləri, antimonidləri əsasında bərk məhlullarının monokristallik heterokeçidləri daha geniş tətbiq olunur. Ga-un və Al-un kovalent radiuslarının ölçülərinin yaxın olması nəticəsində, kimyəvi tərkibin dəyişməsi qəfəs sabitini demək olar ki, dəyişdirmir. AIIIBV əsasında alınmış günəş elementləri kosmosda 30%, onların modulları isə 17%- dək effektivlik nümayiş elətdirirlər. Heterokeçidləri, həmçinin, çoxkomponentli (dördqat və daha çox) tərkibi geniş intervalda dəyişdikdə qəfəs sabiti dəyişməyən bərk məhlular əsasında alırlar.
Heterokeçidlər adətən heterostrukturlarda elektronlar və deşiklər üçün potensial çuxurların yaradılmasında istifadə olunurlar. Heterostrukturlarda baş verən əsas fundamental fiziki hadisələr bunlardırlar: birtərəfli injeksiya; ifrat injeksiya; kvazielektrik sahədə diffuziya; elektron məhdudluğu; optik məhdudluq, ”pəncərə” effekti; heterosərhəddə diaqonal tunel keçidi. Heterostrukturlar əsasında aşağıdakı cihazlar yaradılmış və geniş tətbiq olunurlar: otaq temperaturunda aşağı hüdud gərginliklərində işləyən lazerlər; paylanmış əks əlaqəli və paylanmış Breqq güzgülü lazerlər; infraqırmızı lazerlər; yüksək effektivlikli işıqsaçan diodlar; fotodetektorlar və günəş elementləri; yarımkeçirici lazerlər əsasında yarımkeçirici inteqral optika; genişzolaqlı emitterli heterobipolyar tranzistorlar; işıq siqnalı ötürən tranzistorlar; tiristorlar; dinistorlar; infraqırmızı işığı görünən işığa çevirən çeviricilər; effektiv soyuq katodlar. Müxtəlif yarımkeçiriciləri kombinə edərək digər maraqlı strukturlar ifratqəfəslər, çoxlu kvant çuxurlarına malik strukturlar yaratmaq olar. Əgər yarımkeçiricilər müxtəlif qəfəs sabitlərinə malikdirlərsə, özü formalaşan kvant nöqtəli strukturlar yaratmaq mümkündür.
Ədəbiyyat
Физический энциклопедический словарь, Москва «Советская энциклопедия» 1984.
Ж.И.Алфёров, История и будущее полупроводниковых гетероструктур, Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №1.
Sze S.M., K.Ng Kwok, Physics of Semiconductor Devices, New Jersey, A John Wiley & Sons, 2007.
Feucht, D. Lion & A.G. Milnes (1970), written at New York and London, Heterojunctions and metal-semiconductor junctions, Academic Press
С.Зи, Физика полупроводниковых приборов 1, Москва «Мир» 1984.
С.Зи, Физика полупроводниковых приборов 2, Москва «Мир» 1984.
Г.Б.Абдуллаев, З.А.Искендер-заде, Некоторые вопросы физики электронно-дырочных переходов, Издательство «Элм», Баку-1971.
Avqust 11, 2021
heterostruktur, yarımkeçiricilər, fizikasında, termin, olub, qadağan, olunmuş, zolağının, müxtəlif, olan, yarımkeçiricilərdən, ibarət, altlıq, üzərində, yetişdirilmiş, laylı, strukturları, ifadə, edir, müxtəlif, yarımkeçirici, arasında, heterokeçid, yaranır, b. Heterostruktur yarimkeciriciler fizikasinda termin olub qadagan olunmus zolaginin eni muxtelif olan yarimkeciricilerden ibaret altliq uzerinde yetisdirilmis layli strukturlari ifade edir Iki muxtelif yarimkecirici arasinda heterokecid yaranir burada yukdasiyicilarin yuksek konsentrasiyasi ve bunun neticesinde cirlasmis ikiolculu elektron qazi yaranir Eger yarimkeciricilerin her ikisi eyni tiplidirse izotip heterokecid alinir eger yarimkeciriciler muxtelif tiplidirse anizotip heterokecid yaranir Yarimkeciricilerin kecid serheddinde qadagan olunmus zolagin eni yukdasiyicilarin yurukluyu effektiv kutlesi ve diger xarakteristikalari deyisilir Keskin heterokecidde xasselerin deyisilmesi hecmi yukler oblastinin eni tertibinde ve ya ondan kicik mesafelerde bas verir Muxtelif heterokecidlerin ve monokecidlerin kombinasiyasi heterostrukturlar adlanir Heterokecidin yaranmasi ancaq kontakta getirilmis maddelerin kristal qefeslerinin tiplerinin istiqametlerinin ve qefes sabitlerinin ust uste dusmesi ve ya az ferqlenmesi zamani mumkundur Diger terefden ideal heterokecidde kecid oblasti struktur ve diger defektlerden dislokasiyalardan noqtevi defektlerden ve s mexaniki gerginliklerden azad olmalidir Heterokecidin yaradilmasi zamani ve hazirlanmis heterokecidin keyfiyyetliliyi ucun qefes sabitinden a elave maddelerin dielektrik nufuzlugunu ve elektrona herislik enerjisini x maddelerin cixis isini U bilmek lazimdir Homokecidlerden ferqli olaraq heterokecidler valent ve kecirici zonanin lazimi potensial profilini yaratmaq ucun daha boyuk muteherrikliye malikdirler Heterokecid yaratmaq ucun bir cox usullardan istifade olunur En genis yayilmis usullar molekulyar sua epitaksiyasi I usul ve metal orqanik birlesmelerin qaz fazasindan epitaksiyasidir II usul I usul presezion atom monolayinin olcusu tertibi deqiqliyi ile heterokecid yaratmaga imkan verir II usul bele deqiqliye malik olmasa da birinci metodla muqayisede tebeqelerin daha boyuk boyume suretine malikdir Bu metodlar esasinda alinmis AIIIBV monokristallari ve onlarin Ga un ve Al un arsenidleri fosfidleri antimonidleri esasinda berk mehlullarinin monokristallik heterokecidleri daha genis tetbiq olunur Ga un ve Al un kovalent radiuslarinin olculerinin yaxin olmasi neticesinde kimyevi terkibin deyismesi qefes sabitini demek olar ki deyisdirmir AIIIBV esasinda alinmis gunes elementleri kosmosda 30 onlarin modullari ise 17 dek effektivlik numayis eletdirirler Heterokecidleri hemcinin coxkomponentli dordqat ve daha cox terkibi genis intervalda deyisdikde qefes sabiti deyismeyen berk mehlular esasinda alirlar Heterokecidler adeten heterostrukturlarda elektronlar ve desikler ucun potensial cuxurlarin yaradilmasinda istifade olunurlar Heterostrukturlarda bas veren esas fundamental fiziki hadiseler bunlardirlar birterefli injeksiya ifrat injeksiya kvazielektrik sahede diffuziya elektron mehdudlugu optik mehdudluq pencere effekti heteroserhedde diaqonal tunel kecidi Heterostrukturlar esasinda asagidaki cihazlar yaradilmis ve genis tetbiq olunurlar otaq temperaturunda asagi hudud gerginliklerinde isleyen lazerler paylanmis eks elaqeli ve paylanmis Breqq guzgulu lazerler infraqirmizi lazerler yuksek effektivlikli isiqsacan diodlar fotodetektorlar ve gunes elementleri yarimkecirici lazerler esasinda yarimkecirici inteqral optika geniszolaqli emitterli heterobipolyar tranzistorlar isiq siqnali oturen tranzistorlar tiristorlar dinistorlar infraqirmizi isigi gorunen isiga ceviren ceviriciler effektiv soyuq katodlar Muxtelif yarimkeciricileri kombine ederek diger maraqli strukturlar ifratqefesler coxlu kvant cuxurlarina malik strukturlar yaratmaq olar Eger yarimkeciriciler muxtelif qefes sabitlerine malikdirlerse ozu formalasan kvant noqteli strukturlar yaratmaq mumkundur Edebiyyat RedakteFizicheskij enciklopedicheskij slovar Moskva Sovetskaya enciklopediya 1984 Zh I Alfyorov Istoriya i budushee poluprovodnikovyh geterostruktur Fizika i tehnika poluprovodnikov 1998 tom 32 1 Sze S M K Ng Kwok Physics of Semiconductor Devices New Jersey A John Wiley amp Sons 2007 Feucht D Lion amp A G Milnes 1970 written at New York and London Heterojunctions and metal semiconductor junctions Academic Press S Zi Fizika poluprovodnikovyh priborov 1 Moskva Mir 1984 S Zi Fizika poluprovodnikovyh priborov 2 Moskva Mir 1984 H B Abdullayev Z E Iskenderzade Yarimkecirici ceviriciler Elm nesriyyati Baki 1974 G B Abdullaev Z A Iskender zade Nekotorye voprosy fiziki elektronno dyrochnyh perehodov Izdatelstvo Elm Baku 1971 Menbe https az wikipedia org w index php title Heterostruktur amp oldid 4181667, wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, hersey,
ne axtarsan burda
, en yaxsi meqale sayti, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, seks, porno, indir, yukle, sex, azeri sex, azeri, seks yukle, sex yukle, izle, seks izle, porno izle, mobil seks, telefon ucun, chat, azeri chat, tanisliq, tanishliq, azeri tanishliq, sayt, medeni, medeni saytlar, chatlar, mekan, tanisliq mekani, mekanlari, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar.
