Amorf yarımkeçiricilər (A.y)-amorf maddə olub, yarımkeçirici xassələrinə malikdirlər. A.y.-kovalent A.y.-ə (Ge və Si, GaAs və s. amorf halında), halkogenid şüşələrə (məs., As31 Ge30 Se21 Те18), oksid şüşələrinə (məs., В2О5-P2О5) və dielektrik nazik təbəqələrə (SiOх, AL2О3, Si3 Н4 və s.) ayrılır. A.y.-nə yüksək leqirlənmiş kompensə edilmiş yarımkeçirici kimi də baxmaq olar ki, onun keçiricilik zonasının "dibi" və valent zonasının "tavanı" enib-qalxır, lakin bu dəyişmə (fluktuasiya) qadağan olunmuş zonanın eni D tərtibindədir. Keçiricilik zonasındakı elektronlar və valent zonasındakı deşiklər hündür çəpərlərlə ayrılmış potensial relyefin çuxurlarında yerləşən "damcılara" ayrılır. Aşağı temperaturlarda elektrik keçiriciliyi sıçrayışlı xarakter daşıyır. Daha yüksək temperaturlarda A.y.-in elektrik keçiriciliyi elektronların delokallaşmış hal oblastına istiliklə ötürülməsi ilə əlaqədardır. A.y. bir sıra nadir xassələrə malikdirlər ki, bu da onların müxtəlif praktiki tətbiqi üçün imkanlar yaradır. Halkogenid şüşələr spektrin İQ oblastındakı şəffaflığına, yüksək müqavimətinə və fotohəssaslığına görə ötürücü televiziya borularının elektrofotoqrafik lövhələrinin hazırlanması üçün və holoqram yazılarında tətbiq olunur. A.y.-də işə düşmə zamanı 10−10−10−12 s olan elementlərin yaradılmasına imkan verən yüksək omlu haldan aşağı omlu hala və əksinə keçmə aşırıcı effekt mövcuddur.
Amorf və şüşəvari yarımkeçiricilər
Amorf və şüşəvari maddələr olub, yarımkeçirici xassələrinə malikdirlər. A.və ş.y. yaxın nizamlılığın mövcudluğu və uzaq nizamlılığın yoxluğu ilə xarakterizə olunurlar. A. və ş.y. tərkibə və quruluşa görə halkogenidlərə, oksidlərə, üzvülərə, tetraedriklərə ayrılırlar. Ən yaxşı öyrənilib halkogenid şüşəvarilər (HŞY) və elementar tetraedriklər (ETAY). HŞY-i əsasən, ya ərintini soyutmaqla, ya da vakuumda buxarlanma ilə alırlar. Buraya Se və Те, həmçinin müxtəlif metal (məs., As-S-Sе, Аs-Gе-Sе-Те, Аs-Sb-S-Sе, Gе-S-Sе, Gе-Pb-S) halkogenidlərinin (sulfidlər, selenidlər, telluridlər) iki və çox komponentli ərintiləri aiddir. ETAY (amorf Gе və Si)-ni müxtəlif hidrogentərkibli atmosferlərdə ion tozlandırılmasıyla və ya onların qazlarının dissosiasiyasından (xüsusilə, Si H4 və ya GeH4) yüksəktezlikli boşalmalarda alırlar.
A. və ş.y.-in xüsusiyyətləri elektronların energetik spektrlərinin xüsusiyyətlərilə əlaqədardır. Elektron hallarının yuxarı və aşağı sıxlıqlı energetik oblastlarının mövcudluğu-yaxın nizamlılığın nəticəsidir. Ona görə də qeyri-kristallik maddələrin zona quruluşu haqqında şərti danışmaq olar. Lakin quruluşun nizamsızlığı əlavə icazəli elektron hallarının yaranmasına gətirib çıxarır ki, onların sıxlığı hal sıxlığı "quyruqları" yaradaraq qadağan olunmuş zonanın dərinliyinə düşür. "Quyruqlarda" elektron halları lokallaşmış və delokallaşmış (cərəyan keçirici) hallara bölünür. Bu hallar arasında kəsgin sərhəd yürüklük kənarları, onlar arasındakı məsafə isə yürüklüyə görə Mg qadağan olunmuş zona (və ya yarıq) adlanır.
İstinadlar
Полтавцев Ю.Г. "Структура полупроводников в некристаллических состояниях", "УФН", 1976
Адлер Д. "Приборы на аморфных полупроводниках"
Мотт Н., Дэвис Э. "Электронные процессы в некристаллических веществах", М.1982;
September 17, 2022
amorf, yarımkeçiricilər, amorf, maddə, olub, yarımkeçirici, xassələrinə, malikdirlər, kovalent, gaas, amorf, halında, halkogenid, şüşələrə, məs, as31, ge30, se21, Те18, oksid, şüşələrinə, məs, В2О5, p2О5, dielektrik, nazik, təbəqələrə, sioх, al2О3, ayrılır, yü. Amorf yarimkeciriciler A y amorf madde olub yarimkecirici xasselerine malikdirler A y kovalent A y e Ge ve Si GaAs ve s amorf halinda halkogenid suselere mes As31 Ge30 Se21 Te18 oksid suselerine mes V2O5 P2O5 ve dielektrik nazik tebeqelere SiOh AL2O3 Si3 N4 ve s ayrilir A y ne yuksek leqirlenmis kompense edilmis yarimkecirici kimi de baxmaq olar ki onun keciricilik zonasinin dibi ve valent zonasinin tavani enib qalxir lakin bu deyisme fluktuasiya qadagan olunmus zonanin eni e displaystyle varepsilon D tertibindedir Keciricilik zonasindaki elektronlar ve valent zonasindaki desikler hundur ceperlerle ayrilmis potensial relyefin cuxurlarinda yerlesen damcilara ayrilir Asagi temperaturlarda elektrik keciriciliyi sicrayisli xarakter dasiyir Daha yuksek temperaturlarda A y in elektrik keciriciliyi elektronlarin delokallasmis hal oblastina istilikle oturulmesi ile elaqedardir A y bir sira nadir xasselere malikdirler ki bu da onlarin muxtelif praktiki tetbiqi ucun imkanlar yaradir Halkogenid suseler spektrin IQ oblastindaki seffafligina yuksek muqavimetine ve fotohessasligina gore oturucu televiziya borularinin elektrofotoqrafik lovhelerinin hazirlanmasi ucun ve holoqram yazilarinda tetbiq olunur A y de ise dusme zamani displaystyle leq 10 10 10 12 s olan elementlerin yaradilmasina imkan veren yuksek omlu haldan asagi omlu hala ve eksine kecme asirici effekt movcuddur Amorf ve susevari yarimkeciriciler RedakteAmorf ve susevari maddeler olub yarimkecirici xasselerine malikdirler A ve s y yaxin nizamliligin movcudlugu ve uzaq nizamliligin yoxlugu ile xarakterize olunurlar A ve s y terkibe ve qurulusa gore halkogenidlere oksidlere uzvulere tetraedriklere ayrilirlar En yaxsi oyrenilib halkogenid susevariler HSY ve elementar tetraedrikler ETAY HSY i esasen ya erintini soyutmaqla ya da vakuumda buxarlanma ile alirlar Buraya Se ve Te hemcinin muxtelif metal mes As S Se As Ge Se Te As Sb S Se Ge S Se Ge Pb S halkogenidlerinin sulfidler selenidler telluridler iki ve cox komponentli erintileri aiddir ETAY amorf Ge ve Si ni muxtelif hidrogenterkibli atmosferlerde ion tozlandirilmasiyla ve ya onlarin qazlarinin dissosiasiyasindan xususile Si H4 ve ya GeH4 yuksektezlikli bosalmalarda alirlar A ve s y in xususiyyetleri elektronlarin energetik spektrlerinin xususiyyetlerile elaqedardir Elektron hallarinin yuxari ve asagi sixliqli energetik oblastlarinin movcudlugu yaxin nizamliligin neticesidir Ona gore de qeyri kristallik maddelerin zona qurulusu haqqinda serti danismaq olar Lakin qurulusun nizamsizligi elave icazeli elektron hallarinin yaranmasina getirib cixarir ki onlarin sixligi g e displaystyle g varepsilon hal sixligi quyruqlari yaradaraq qadagan olunmus zonanin derinliyine dusur Quyruqlarda elektron hallari lokallasmis ve delokallasmis cereyan kecirici hallara bolunur Bu hallar arasinda kesgin serhed yurukluk kenarlari onlar arasindaki mesafe ise yurukluye gore e displaystyle varepsilon Mg qadagan olunmus zona ve ya yariq adlanir Istinadlar RedaktePoltavcev Yu G Struktura poluprovodnikov v nekristallicheskih sostoyaniyah UFN 1976Adler D Pribory na amorfnyh poluprovodnikah Mott N Devis E Elektronnye processy v nekristallicheskih veshestvah M 1982 Menbe https az wikipedia org w index php title Amorf yarimkeciriciler amp oldid 6433197, wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, hersey,
ne axtarsan burda
, en yaxsi meqale sayti, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, seks, porno, indir, yukle, sex, azeri sex, azeri, seks yukle, sex yukle, izle, seks izle, porno izle, mobil seks, telefon ucun, chat, azeri chat, tanisliq, tanishliq, azeri tanishliq, sayt, medeni, medeni saytlar, chatlar, mekan, tanisliq mekani, mekanlari, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar.
