Bu məqalə qaralama halındadır. Məqaləni redaktə edərək Vikipediyaya kömək edə bilərsiniz. Əgər mümkündürsə, daha dəqiq bir şablondan istifadə edin. Bu məqalə sonuncu dəfə 26 gün əvvəl TexnoBot tərəfindən redaktə olunub. (Yenilə)
PN keçidi — Elektronika sənayesində istifadə edilən diod, tranzistor və inteqral (İC) dövrə elementlərinin istehsalında istifadə edilir.
Sadə bir P-N quruluşunun formalaşması
Silisium və ya Germanium kristalına kifayət qədər aşqar olunaraq, p-tipli və n-tipli maddələr yaradılmışdı. Bu maddələr tək halda elektrik funksiyaları yerinə yetirməzlər. P və N tipli element bir arada istifadə edilsə, bu keçidə P-N keçidi deyilər. Böyük və kiçik daşıyıcılarının ikisi də göstərilmişdir. Şəkildə P-N keçidi sahəsində müsbət və mənfi ionlarla yaradılan gərginlik səddi görülür. Yaranan bu gərginlik səddi; 25℃-də silisium üçün maneə 0.7 volt, germanium üçün 0.3 volt civarındadır. Bu gərginliyə "diodun əks gərginliyi" deyilir.
Diodun əks gərginliyi temperaturdan təsirlənir.Məsələn, temperatur miqdar-ındakı hər 1℃ artım, diodun əks gərginliyinin təxminən 2.3mv azalmasına səbəb olur. Diodun əks gərginliyi çox əhəmiyyətlidir. Çünki P-N keçidinə kənardan tətbiq olunan gərginliyin yaradacağı cərəyan miqdarının stabil olmasını təmin edir.
İstinadlar
Luque, Antonio; Steven Hegedus (29 March 2011). Handbook of Photovoltaic Science and Engineering
Avqust 12, 2021
keçidi, məqalə, qaralama, halındadır, məqaləni, redaktə, edərək, vikipediyaya, kömək, edə, bilərsiniz, əgər, mümkündürsə, daha, dəqiq, şablondan, istifadə, edin, məqalə, sonuncu, dəfə, gün, əvvəl, texnobot, tərəfindən, redaktə, olunub, yenilə, keçidi, elektron. Bu meqale qaralama halindadir Meqaleni redakte ederek Vikipediyaya komek ede bilersiniz Eger mumkundurse daha deqiq bir sablondan istifade edin Bu meqale sonuncu defe 26 gun evvel TexnoBot terefinden redakte olunub Yenile PN kecidi Elektronika senayesinde istifade edilen diod tranzistor ve inteqral IC dovre elementlerinin istehsalinda istifade edilir Sade bir P N qurulusunun formalasmasi Silisium ve ya Germanium kristalina kifayet qeder asqar olunaraq p tipli ve n tipli maddeler yaradilmisdi Bu maddeler tek halda elektrik funksiyalari yerine yetirmezler P ve N tipli element bir arada istifade edilse bu kecide P N kecidi deyiler Boyuk ve kicik dasiyicilarinin ikisi de gosterilmisdir Sekilde P N kecidi sahesinde musbet ve menfi ionlarla yaradilan gerginlik seddi gorulur Yaranan bu gerginlik seddi 25 de silisium ucun manee 0 7 volt germanium ucun 0 3 volt civarindadir Bu gerginliye diodun eks gerginliyi deyilir Diodun eks gerginliyi temperaturdan tesirlenir Meselen temperatur miqdar indaki her 1 artim diodun eks gerginliyinin texminen 2 3mv azalmasina sebeb olur Diodun eks gerginliyi cox ehemiyyetlidir Cunki P N kecidine kenardan tetbiq olunan gerginliyin yaradacagi cereyan miqdarinin stabil olmasini temin edir 1 Istinadlar Redakte Luque Antonio Steven Hegedus 29 March 2011 Handbook of Photovoltaic Science and EngineeringMenbe https az wikipedia org w index php title P N kecidi amp oldid 6043664, wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, hersey,
ne axtarsan burda
, en yaxsi meqale sayti, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, seks, porno, indir, yukle, sex, azeri sex, azeri, seks yukle, sex yukle, izle, seks izle, porno izle, mobil seks, telefon ucun, chat, azeri chat, tanisliq, tanishliq, azeri tanishliq, sayt, medeni, medeni saytlar, chatlar, mekan, tanisliq mekani, mekanlari, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar.
